BSC123N10LSGATMA1
BSC123N10LSGATMA1
Artikelnummer:
BSC123N10LSGATMA1
Hersteller:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
53158 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
BSC123N10LSGATMA1.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 72µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:12.3 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max):114W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerTDFN
Andere Namen:BSC123N10LS G
BSC123N10LS G-ND
BSC123N10LS GTR
BSC123N10LS GTR-ND
BSC123N10LSGATMA1TR
SP000379612
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:4900pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:68nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 100V 10.6A (Ta), 71A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:10.6A (Ta), 71A (Tc)
Email:[email protected]

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