BFL4001-1E
BFL4001-1E
Artikelnummer:
BFL4001-1E
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 4.1A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
39246 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
BFL4001-1E.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.7 Ohm @ 3.25A, 10V
Verlustleistung (max):2W (Ta), 37W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:850pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:44nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):900V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 900V 4.1A (Tc) 2W (Ta), 37W (Tc) Through Hole TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:4.1A (Tc)
Email:[email protected]

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