AS4C2M32S-6BIN
AS4C2M32S-6BIN
Artikelnummer:
AS4C2M32S-6BIN
Hersteller:
Alliance Memory, Inc.
Beschreibung:
IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
64546 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
AS4C2M32S-6BIN.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:2ns
Spannungsversorgung:3 V ~ 3.6 V
Technologie:SDRAM
Supplier Device-Gehäuse:90-TFBGA (8x13)
Serie:-
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:90-TFBGA
Andere Namen:1450-1147
AS4C2M32S-6BIN-ND
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:64Mb (2M x 32)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit:8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:SDRAM Memory IC 64Mb (2M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
Uhrfrequenz:166MHz
Zugriffszeit:5.4ns
Email:[email protected]

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