| Bedingung | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Verteiler | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 1mA |
| Supplier Device-Gehäuse: | SP3 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 98 mOhm @ 20A, 20V |
| Leistung - max: | 125W |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | SP3 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 32 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 950pF @ 1000V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 49nC @ 20V |
| Typ FET: | 4 N-Channel (Three Level Inverter) |
| FET-Merkmal: | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 4 N-Channel (Three Level Inverter) 1200V (1.2kV) 28A (Tc) 125W Chassis Mount SP3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 28A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
