APTGT35H120T1G
Artikelnummer:
APTGT35H120T1G
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
62488 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
APTGT35H120T1G.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 35A
Supplier Device-Gehäuse:SP1
Serie:-
Leistung - max:208W
Verpackung / Gehäuse:SP1
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC-Thermistor:Yes
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE:2.5nF @ 25V
Eingang:Standard
IGBT-Typ:Trench Field Stop
detaillierte Beschreibung:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 55A 208W Chassis Mount SP1
Strom - Collector Cutoff (Max):250µA
Strom - Kollektor (Ic) (max):55A
Konfiguration:Full Bridge Inverter
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