APT80SM120J
Artikelnummer:
APT80SM120J
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
POWER MOSFET - SIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
49019 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
APT80SM120J.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):+25V, -10V
Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device-Gehäuse:SOT-227
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:55 mOhm @ 40A, 20V
Verlustleistung (max):273W (Tc)
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:235nC @ 20V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):20V
Drain-Source-Spannung (Vdss):1200V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 1200V 51A (Tc) 273W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:51A (Tc)
Email:[email protected]

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