APT32F120J
APT32F120J
Artikelnummer:
APT32F120J
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
53467 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.APT32F120J.pdf2.APT32F120J.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:ISOTOP®
Serie:POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:320 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max):960W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:21 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:18200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:560nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):1200V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 1200V 33A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:33A (Tc)
Email:[email protected]

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