2SK2845(TE16L1,Q)
Artikelnummer:
2SK2845(TE16L1,Q)
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 1A DP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
41202 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.2SK2845(TE16L1,Q).pdf2.2SK2845(TE16L1,Q).pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:DP
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max):40W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):900V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 900V 1A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount DP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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