2SK2009TE85LF
Artikelnummer:
2SK2009TE85LF
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
73467 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
2SK2009TE85LF.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:SC-59-3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2 Ohm @ 50MA, 2.5V
Verlustleistung (max):200mW (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen:2SK2009 (TE85L,F)
2SK2009(TE85L,F)
2SK2009TE85LFTR
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:70pF @ 3V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):2.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 30V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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