| Bedingung | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Verteiler | Boser Technology |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 400mV @ 50mA, 1A |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | TP |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 800mW |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Andere Namen: | 2SD1801S-E-ND 2SD1801S-EOS |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 6 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 150MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 2A 150MHz 800mW Through Hole TP |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 140 @ 100mA, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 2A |
| Basisteilenummer: | 2SD1801 |
| Email: | [email protected] |
