2N5639G
Artikelnummer:
2N5639G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
JFET N-CH 35V 0.31W TO92
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
64594 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
2N5639G.pdf

Einführung

2N5639G bester Preis und schnelle Lieferung.
BOSER Technology ist der Distributor für 2N5639G, wir haben die Lagerbestände für den sofortigen Versand und auch für Langzeitbelieferung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für 2N5639G per E-Mail, wir geben Ihnen den besten Preis entsprechend Ihres Plans.
Unsere E-Mail: [email protected]

Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS):35V
Supplier Device-Gehäuse:TO-92-3
Serie:-
Resistance - RDS (on):60 Ohms
Leistung - max:310mW
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Betriebstemperatur:-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:10pF @ 12V (VGS)
Typ FET:N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:JFET N-Channel 35V 310mW Through Hole TO-92-3
Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0):25mA @ 20V
Basisteilenummer:2N5639
Email:[email protected]

Schnell Angebot anfordern

Artikelnummer
Anzahl
Unternehmen
Email
Telefon
Bemerkung/Erläuterung