1N5416US
1N5416US
Artikelnummer:
1N5416US
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 3A D5B
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Anzahl:
77803 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1N5416US.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 9A
Spannung - Sperr (Vr) (max):100V
Supplier Device-Gehäuse:D-5B
Geschwindigkeit:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):150ns
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:E-MELF
Betriebstemperatur - Anschluss:-65°C ~ 175°C
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS non-compliant
Diodentyp:Standard
detaillierte Beschreibung:Diode Standard 100V 3A Surface Mount D-5B
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:1µA @ 100V
Strom - Richt (Io):3A
Kapazität @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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