| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 2.6V @ 700µA |
| Vgs (Max): | ±18V |
| Technika: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-247 |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 22A, 8V |
| Ztráta energie (Max): | 125W (Tc) |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-3 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 2200pF @ 400V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 8V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 8V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 650V |
| Detailní popis: | N-Channel 650V 36A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 36A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
