| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.6V @ 700µA |
| Vgs (Max): | ±18V |
| Tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 60 mOhm @ 22A, 8V |
| Dissipazione di potenza (max): | 125W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2200pF @ 400V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 8V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 8V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 650V 36A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 36A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
