| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | +6V, -4V |
| Technika: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Dodavatel zařízení Package: | Die |
| Série: | eGaN® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 130 mOhm @ 500mA, 5V |
| Ztráta energie (Max): | - |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | Die |
| Ostatní jména: | 917-1078-1 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 12 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 52pF @ 32.5V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.45nC @ 5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 5V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 65V |
| Detailní popis: | N-Channel 65V 2.7A (Ta) Surface Mount Die |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 2.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
