| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
| فغس (ماكس): | +6V, -4V |
| تكنولوجيا: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| تجار الأجهزة حزمة: | Die |
| سلسلة: | eGaN® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 130 mOhm @ 500mA, 5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | Die |
| اسماء اخرى: | 917-1078-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 52pF @ 32.5V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.45nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 65V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 65V 2.7A (Ta) Surface Mount Die |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
