| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 1.2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±10V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | X2-DFN1006-3 |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 1.2 Ohm @ 100mA, 4V |
| Ztráta energie (Max): | 350mW (Ta) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 3-XFDFN |
| Ostatní jména: | DMN32D2LFB47 DMN32D2LFB4DITR |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 14 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 39pF @ 3V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 1.8V, 4V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
| Detailní popis: | N-Channel 30V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 300mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
