| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | X2-DFN1006-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.2 Ohm @ 100mA, 4V |
| Dissipazione di potenza (max): | 350mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 3-XFDFN |
| Altri nomi: | DMN32D2LFB47 DMN32D2LFB4DITR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 39pF @ 3V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 30V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 300mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
