| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Napětí - Test: | 2V |
| Napětí - Jmenovitá: | 4V |
| Transistor Type: | pHEMT FET |
| Dodavatel zařízení Package: | 4-Micro-X |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 125mW |
| Obal: | Strip |
| Paket / krabice: | 4-Micro-X |
| hluk Obrázek: | 0.5dB |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 7 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Získat: | 13.7dB |
| Frekvence: | 12GHz |
| Detailní popis: | RF Mosfet pHEMT FET 2V 10mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 15mA |
| Aktuální - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
