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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > CE3512K2
CE3512K2
CE3512K2
Modello di prodotti:
CE3512K2
fabbricante:
CEL (California Eastern Laboratories)
Descrizione:
RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
26663 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
CE3512K2.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Prova:2V
Tensione - nominale:4V
Tipo transistor:pHEMT FET
Contenitore dispositivo fornitore:4-Micro-X
Serie:-
Alimentazione - uscita:125mW
imballaggio:Strip
Contenitore / involucro:4-Micro-X
Figura di rumore:0.5dB
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:7 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Guadagno:13.7dB
Frequenza:12GHz
Descrizione dettagliata:RF Mosfet pHEMT FET 2V 10mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X
Valutazione attuale:15mA
Corrente - Test:10mA
Email:[email protected]

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Parti relative per CE3512K2

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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