| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 100µA |
| Vgs (макс): | ±20V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | DIRECTFET™ MZ |
| серия: | HEXFET® |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 4.2A, 10V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 2.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Опаковка: | Cut Tape (CT) |
| Пакет / касета: | DirectFET™ Isometric MZ |
| Други имена: | IRF6785MTR1PBFCT |
| Работна температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 1500pF @ 25V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 200V |
| Подробно описание: | N-Channel 200V 3.4A (Ta), 19A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 3.4A (Ta), 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
