| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (макс): | ±30V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | TO-264 [L] |
| серия: | POWER MOS 8™ |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 75 mOhm @ 37A, 10V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 1040W (Tc) |
| Опаковка: | Tube |
| Пакет / касета: | TO-264-3, TO-264AA |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Through Hole |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Производител Стандартно време за доставка: | 17 Weeks |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 11600pF @ 25V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 290nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 500V |
| Подробно описание: | N-Channel 500V 75A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264 [L] |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 75A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| Изображение | Номер на частта | Производители | описание | изглед |
|---|---|---|---|---|
 |
APT75GT120JU2 | Microsemi | IGBT 1200V 100A 416W SOT227 | Разследване |
 |
APT7M120S | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK | Разследване |
|
APT77N60SC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK | Разследване |
 |
APT75M50B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX | Разследване |
 |
APT8014JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227 | Разследване |
 |
APT7F100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247 | Разследване |
 |
APT75GN60B2DQ3G | Microsemi | IGBT 600V 155A 536W TO264 | Разследване |
|
APT77N60BC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 | Разследване |
|
APT75GP120JDQ3 | Microsemi | IGBT 1200V 128A 543W SOT227 | Разследване |
|
APT75GT120JRDQ3 | Microsemi | IGBT 1200V 97A 480W SOT227 | Разследване |
|
APT75GT120JU3 | Microsemi | POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227 | Разследване |
|
APT75GN60LDQ3G | Microsemi | IGBT 600V 155A 536W TO264 | Разследване |
|
APT77N60JC3 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227 | Разследване |
|
APT7F120B | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247 | Разследване |
|
APT7M120B | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 8A TO247 | Разследване |
|
APT75GP120B2G | Microsemi | IGBT 1200V 100A 1042W TMAX | Разследване |
 |
APT7F80K | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 7A TO-220 | Разследване |
 |
APT75GP120J | Microsemi | IGBT 1200V 128A 543W SOT227 | Разследване |
|
APT75GN60BG | Microsemi | IGBT 600V 155A 536W TO247 | Разследване |
|
APT8018JN | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP | Разследване |