| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (สูงสุด): | ±30V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-264 [L] |
| ชุด: | POWER MOS 8™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 75 mOhm @ 37A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 1040W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-264-3, TO-264AA |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 17 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 11600pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 290nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 500V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 500V 75A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264 [L] |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 75A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
APT75GT120JU2 | Microsemi | IGBT 1200V 100A 416W SOT227 | การสอบสวน |
 |
APT7M120S | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK | การสอบสวน |
|
APT77N60SC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK | การสอบสวน |
 |
APT75M50B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX | การสอบสวน |
 |
APT8014JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227 | การสอบสวน |
 |
APT7F100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247 | การสอบสวน |
 |
APT75GN60B2DQ3G | Microsemi | IGBT 600V 155A 536W TO264 | การสอบสวน |
|
APT77N60BC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 | การสอบสวน |
|
APT75GP120JDQ3 | Microsemi | IGBT 1200V 128A 543W SOT227 | การสอบสวน |
|
APT75GT120JRDQ3 | Microsemi | IGBT 1200V 97A 480W SOT227 | การสอบสวน |
|
APT75GT120JU3 | Microsemi | POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227 | การสอบสวน |
|
APT75GN60LDQ3G | Microsemi | IGBT 600V 155A 536W TO264 | การสอบสวน |
|
APT77N60JC3 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227 | การสอบสวน |
|
APT7F120B | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247 | การสอบสวน |
|
APT7M120B | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 8A TO247 | การสอบสวน |
|
APT75GP120B2G | Microsemi | IGBT 1200V 100A 1042W TMAX | การสอบสวน |
 |
APT7F80K | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 7A TO-220 | การสอบสวน |
 |
APT75GP120J | Microsemi | IGBT 1200V 128A 543W SOT227 | การสอบสวน |
|
APT75GN60BG | Microsemi | IGBT 600V 155A 536W TO247 | การสอบสวน |
|
APT8018JN | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP | การสอบสวน |