VPM9U1272S6B3PJ1MAE - Viking Technology ذاكرة

VPM9U1272S6B3PJ1MAE

رقم القطعة:: VPM9U1272S6B3PJ1MAE

الصانع:: Viking Technology

وصف:: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

[LeadFreeStatus]未找到翻译: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

كمية:: 70604 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: VPM9U1272S6B3PJ1MAE.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر VPM9U1272S6B3PJ1MAE وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ VPM9U1272S6B3PJ1MAE ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على VPM9U1272S6B3PJ1MAE عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
الجهد - توريد:	1.2V
تكنولوجيا:	SDRAM - DDR4
سلسلة:	-
اسماء اخرى:	VPM9U1272S6B0PJ1MAE VPM9U1272S6B0PJ1MAE-ND
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):	1 (Unlimited)
نوع الذاكرة:	Volatile
حجم الذاكرة:	4Gb (512M x 8)
واجهة الذاكرة:	Parallel
تنسيق الذاكرة:	DRAM
الصانع المهلة القياسية:	20 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:	SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 1.2GHz
تردد على مدار الساعة:	1.2GHz
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لVPM9U1272S6B3PJ1MAE

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
AT25128N-10SC-1.8	Micrel / Microchip Technology	IC EEPROM 128K SPI 2.1MHZ 8SOIC	تحقيق
71V424S12YGI	IDT (Integrated Device Technology)	IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ	تحقيق
93LC86-I/P	Micrel / Microchip Technology	IC EEPROM 16K SPI 3MHZ 8DIP	تحقيق
VPM9U1272S6B3PJ1MA	Viking Technology	IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ	تحقيق
IS43LR32800G-6BL	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)	IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA	تحقيق
BR93LC46F-WE2	LAPIS Semiconductor	IC EEPROM 1K SPI 1MHZ 8SOIC	تحقيق
AT45DB011B-CI	Micrel / Microchip Technology	IC FLASH 1M SPI 20MHZ 9CBGA	تحقيق
X28HC256JI-90R5699	Intersil	IC EEPROM 256K PARALLEL	تحقيق
IS42S16800E-7BLI-TR	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)	IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA	تحقيق
S25FS512SAGNFB010	Cypress Semiconductor	IC FLASH 512M SPI 133MHZ	تحقيق
AT25DF081A-SH-B	Adesto Technologies	IC FLASH 8M SPI 100MHZ 8SOIC	تحقيق
EMFA164A2PB-DV-F-D	Micron Technology	LPDDR3 SPECIAL/CUSTOM PLASTIC WF	تحقيق
VPM9U1272S6B3PJ1MAT	Viking Technology	IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ	تحقيق
CY7C1021B-15ZXE	Cypress Semiconductor	IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II	تحقيق
W25Q128FVEJQ	Winbond Electronics Corporation	IC FLASH MEMORY 128MB	تحقيق
IDT71V3559SA75BQ	IDT (Integrated Device Technology)	IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA	تحقيق
AS7C3256A-12TCN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I	تحقيق
MT46V16M16FG-6 L:F	Micron Technology	IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA	تحقيق
71V321L25J	IDT (Integrated Device Technology)	IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC	تحقيق
VPM9U1272S6B3PJ1MAM	Viking Technology	IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار