MT53D512M64D4SB-046 XT:D - Micron Technology ذاكرة

MT53D512M64D4SB-046 XT:D

رقم القطعة:: MT53D512M64D4SB-046 XT:D

الصانع:: Micron Technology

وصف:: IC DRAM 32G 2133MHZ

[LeadFreeStatus]未找到翻译: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

كمية:: 56025 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: MT53D512M64D4SB-046 XT:D.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT53D512M64D4SB-046 XT:D وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ MT53D512M64D4SB-046 XT:D ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT53D512M64D4SB-046 XT:D عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:	-
الجهد - توريد:	1.1V
تكنولوجيا:	SDRAM - Mobile LPDDR4
سلسلة:	-
اسماء اخرى:	MT53D512M64D4SB-046 XT:D-ND MT53D512M64D4SB-046XT:D
درجة حرارة التشغيل:	-30°C ~ 105°C (TC)
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):	3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:	Volatile
حجم الذاكرة:	32Gb (512M x 64)
واجهة الذاكرة:	-
تنسيق الذاكرة:	DRAM
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:	SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 2133MHz
تردد على مدار الساعة:	2133MHz
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لMT53D512M64D4SB-046 XT:D

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ	تحقيق
MT53D512M64D8HR-053 WT:B	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ	تحقيق
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ	تحقيق
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ	تحقيق
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53D6DABE-DC	Micron Technology	SPECIAL/CUSTOM LPDDR4	تحقيق
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ	تحقيق
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M64D4SB-046 XT:E	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ	تحقيق
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ	تحقيق
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ	تحقيق
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار