MT53D512M64D4SB-046 XT:D - Micron Technology หน่วยความจำ

MT53D512M64D4SB-046 XT:D

รุ่นผลิตภัณฑ์:: MT53D512M64D4SB-046 XT:D

ผู้ผลิต:: Micron Technology

ลักษณะ:: IC DRAM 32G 2133MHZ

[LeadFreeStatus]未找到翻译: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

จำนวน:: 56025 Pieces

เวลาจัดส่ง:: 1-2 days

แผ่นข้อมูล:: MT53D512M64D4SB-046 XT:D.pdf

การสอบสวน

บทนำ

MT53D512M64D4SB-046 XT:D ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว

BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ MT53D512M64D4SB-046 XT:D เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ MT53D512M64D4SB-046 XT:D ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข	New and Original
ที่มา	Contact us
ผู้จัดจำหน่าย	Boser Technology
เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า:	-
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน:	1.1V
เทคโนโลยี:	SDRAM - Mobile LPDDR4
ชุด:	-
ชื่ออื่น:	MT53D512M64D4SB-046 XT:D-ND MT53D512M64D4SB-046XT:D
อุณหภูมิในการทำงาน:	-30°C ~ 105°C (TC)
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	3 (168 Hours)
ประเภทหน่วยความจำ:	Volatile
ขนาดหน่วยความจำ:	32Gb (512M x 64)
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ:	-
รูปแบบหน่วยความจำ:	DRAM
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
คำอธิบายโดยละเอียด:	SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 2133MHz
ความถี่นาฬิกา:	2133MHz
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MT53D512M64D4SB-046 XT:D

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ	การสอบสวน
MT53D512M64D8HR-053 WT:B	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ	การสอบสวน
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA	การสอบสวน
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA	การสอบสวน
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	การสอบสวน
MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ	การสอบสวน
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ	การสอบสวน
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	การสอบสวน
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	การสอบสวน
MT53D6DABE-DC	Micron Technology	SPECIAL/CUSTOM LPDDR4	การสอบสวน
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ	การสอบสวน
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	การสอบสวน
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	การสอบสวน
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	การสอบสวน
MT53D512M64D4SB-046 XT:E	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ	การสอบสวน
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ	การสอบสวน
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA	การสอบสวน
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ	การสอบสวน
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA	การสอบสวน
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest