| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - القطع (VGS إيقاف) @ إيد: | 5V @ 10µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | SSMini3-F3-B |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 125mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-89, SOT-490 |
| اسماء اخرى: | DSK9J01P0LTR |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 11 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6pF @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 55V |
| وصف تفصيلي: | JFET N-Channel 30mA 125mW Surface Mount SSMini3-F3-B |
| الصرف الحالي (رقم) - الحد الأقصى: | 30mA |
| الحالي - هجرة (فاعلية النظام) @ VDS (VGS = 0): | 1mA @ 10V |
| رقم جزء القاعدة: | DSK9J01 |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DSK10B-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
DSK10E-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
J111 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | تحقيق |
 |
DSK-3R3H224U-HL | Elna America | CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD | تحقيق |
|
DSK-3R3H204T614-H2L | Elna America | CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD | تحقيق |
|
DSK10B | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK10E-ET1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK10C-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK10E | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK-3R3H703T414-HRL | Elna America | CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD | تحقيق |
|
DSK-3R3H334T-HL | Elna America | CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD | تحقيق |
 |
MMBFJ175LT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 | تحقيق |
|
DSK10B-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK-3R3H703T414-HLL | Elna America | CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD | تحقيق |
|
DSK10C | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK10C-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
DSK5J01P0L | Panasonic | JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B | تحقيق |
|
DSK10E-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK10C-ET1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK5J01Q0L | Panasonic | JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B | تحقيق |