| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - اختبار: | 1969pF @ 25V |
| الجهد - انهيار: | TO-247 [B] |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 950 mOhm @ 6A, 10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسلة: | POWER MOS 7® |
| بنفايات الحالة: | Tube |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 12A (Tc) |
| الاستقطاب: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | APT10090BFLLG |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 71nC @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 5V @ 1mA |
| FET الميزة: | N-Channel |
| وصف موسع: | N-Channel 1000V (1kV) 12A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | - |
| وصف: | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1000V (1kV) |
| نسبة السعة: | 298W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT100F50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 | تحقيق |
 |
APT10090BLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | تحقيق |
|
APT100GN120JDQ4 | Microsemi | IGBT 1200V 153A 446W SOT227 | تحقيق |
 |
APT10035JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT100GF60JU3 | Microsemi | IGBT 600V 120A 416W SOT227 | تحقيق |
 |
APT100GN120B2G | Microsemi | IGBT 1200V 245A 960W TMAX | تحقيق |
 |
APT100GLQ65JU2 | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | تحقيق |
|
APT1003RKLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | تحقيق |
|
APT10035B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | تحقيق |
|
APT10045JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 | تحقيق |
|
APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | تحقيق |
 |
APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | تحقيق |
|
APT100GN120J | Microsemi | IGBT 1200V 153A 446W SOT227 | تحقيق |
|
APT10078BLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | تحقيق |
 |
APT100DL60BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 100A TO247 | تحقيق |
|
APT10045B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX | تحقيق |
|
APT100GF60JU2 | Microsemi | IGBT 600V 120A 416W SOT227 | تحقيق |
|
APT1003RBLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 | تحقيق |
|
APT100DL60HJ | Microsemi | MOD DIODE 600V SOT-227 | تحقيق |
 |
APT10078SLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK | تحقيق |