العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > A2V09H525-04NR6
A2V09H525-04NR6
رقم القطعة:
A2V09H525-04NR6
الصانع:
NXP Semiconductors / Freescale
وصف:
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
كمية:
59518 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
A2V09H525-04NR6.pdf
تحقيق

المقدمة

أفضل سعر A2V09H525-04NR6 وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ A2V09H525-04NR6 ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على A2V09H525-04NR6 عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
الجهد - اختبار:48V
الجهد - تقييمه:105V
نوع الترانزستور:LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:OM-1230-4L
سلسلة:-
مخرج قوي:120W
حزمة / كيس:OM-1230-4L
اسماء اخرى:935330045528
الضوضاء الشكل:-
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):3 (168 Hours)
ربح:18.9dB
تردد:720MHz ~ 960MHz
وصف تفصيلي:RF Mosfet LDMOS 48V 688mA 720MHz ~ 960MHz 18.9dB 120W OM-1230-4L
التصويت الحالي:10µA
الحالي - اختبار:688mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لA2V09H525-04NR6

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
A3T18H360W23SR6 NXP Semiconductors / Freescale 1.8GHZ 360W ACP1230S-4L2 تحقيق
BLF6G10S-45K,112 Image BLF6G10S-45K,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 23DB SOT608B تحقيق
275-102N06A-00 Image 275-102N06A-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL DE275 تحقيق
XF1001-SC-0G00 Image XF1001-SC-0G00 Aeroflex (MACOM Technology Solutions) TRANS HFET 1W SOT89 تحقيق
MRF7P20040HSR5 Image MRF7P20040HSR5 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4 تحقيق
PTF210451E V1 Image PTF210451E V1 International Rectifier (Infineon Technologies) IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 تحقيق
MD7P19130HR3 Image MD7P19130HR3 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780H-4 تحقيق
AFV10700HSR5 Image AFV10700HSR5 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO تحقيق
PD85025STR-E Image PD85025STR-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF تحقيق
PXAC201202FC-V2-R0 Cree Wolfspeed IC AMP RF LDMOS H-37248-4 تحقيق
NE4210S01 CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET 13DB S01 تحقيق
BLF6G27LS-40P,112 Image BLF6G27LS-40P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B تحقيق
BLA6G1011-200R,112 Image BLA6G1011-200R,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A تحقيق
A2V07H400-04NR3 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO تحقيق
PTFB241402F-V1-R250 Cree Wolfspeed IC AMP RF LDMOS تحقيق
A2V09H400-04NR3 Image A2V09H400-04NR3 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO تحقيق
MRFE6S9045GNR1 Image MRFE6S9045GNR1 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 تحقيق
BLS6G3135S-20,112 Image BLS6G3135S-20,112 Ampleon RF FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608B تحقيق
A2V07H525-04NR6 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR تحقيق
A2V09H300-04NR3 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO تحقيق

Latest الأخبار