العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > A2V07H525-04NR6
A2V07H525-04NR6
رقم القطعة:
A2V07H525-04NR6
الصانع:
NXP Semiconductors / Freescale
وصف:
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
كمية:
60590 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
A2V07H525-04NR6.pdf
تحقيق

المقدمة

أفضل سعر A2V07H525-04NR6 وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ A2V07H525-04NR6 ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على A2V07H525-04NR6 عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
الجهد - اختبار:48V
الجهد - تقييمه:105V
نوع الترانزستور:LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:OM-1230-4L
سلسلة:-
مخرج قوي:120W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:OM-1230-4L
اسماء اخرى:935339924528
الضوضاء الشكل:-
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):3 (168 Hours)
ربح:17.5dB
تردد:595MHz ~ 851MHz
وصف تفصيلي:RF Mosfet LDMOS 48V 700mA 595MHz ~ 851MHz 17.5dB 120W OM-1230-4L
التصويت الحالي:10µA
الحالي - اختبار:700mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لA2V07H525-04NR6

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
CGHV27200F Image CGHV27200F Cree Wolfspeed RF MOSFET HEMT 50V 440162 تحقيق
MRF6S19200HSR5 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 66V 1.99GHZ NI780S تحقيق
A2V09H300-04NR3 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO تحقيق
PTFB093608FV-V3-R2 Cree Wolfspeed FET RF 2CH 65V 960MHZ H-37275G-6 تحقيق
MRF148A Image MRF148A Aeroflex (MACOM Technology Solutions) FET RF 120V 175MHZ 211-07 تحقيق
MRFE6S9125NBR1 Image MRFE6S9125NBR1 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 66V 880MHZ TO-272-4 تحقيق
MRF6P9220HR3 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 68V 880MHZ NI-860C3 تحقيق
A2V07H400-04NR3 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO تحقيق
BLM7G24S-30BGY Image BLM7G24S-30BGY Ampleon RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 تحقيق
NE3516S02-A Image NE3516S02-A CEL (California Eastern Laboratories) IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX تحقيق
STAC150V2-350E Image STAC150V2-350E STMicroelectronics MOSF RF N CH 700V STAC177B تحقيق
NPTB00025B Image NPTB00025B Aeroflex (MACOM Technology Solutions) HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ تحقيق
MMRF1006HR5 Image MMRF1006HR5 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230 تحقيق
MMBF5486 AMI Semiconductor / ON Semiconductor JFET N-CH 25V 20MA SOT23 تحقيق
A2V09H525-04NR6 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR تحقيق
PTFA261301F V1 Image PTFA261301F V1 International Rectifier (Infineon Technologies) IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2 تحقيق
PTFA071701EV4R250XTMA1 Image PTFA071701EV4R250XTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) FET RF LDMOS 170W H36248-2 تحقيق
PTVA123501ECV2XWSA1 Image PTVA123501ECV2XWSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) IC AMP RF LDMOS تحقيق
MRFE6VP100HSR5 Image MRFE6VP100HSR5 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780 تحقيق
A2V09H400-04NR3 Image A2V09H400-04NR3 NXP Semiconductors / Freescale AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO تحقيق

Latest الأخبار