| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 6-TSOP |
| ชุด: | TrenchFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 54 mOhm @ 5A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 1.14W (Ta) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ชื่ออื่น: | SI3467DV-T1-E3TR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 21 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| ประเภท FET: | P-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 20V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | P-Channel 20V 3.8A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 3.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
