SI3460DV-T1-GE3
SI3460DV-T1-GE3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SI3460DV-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Electro-Films (EFI) / Vishay
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
59714 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
SI3460DV-T1-GE3.pdf

บทนำ

SI3460DV-T1-GE3 ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ SI3460DV-T1-GE3 เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ SI3460DV-T1-GE3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:450mV @ 1mA (Min)
Vgs (สูงสุด):±8V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:6-TSOP
ชุด:TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1.1W (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:20nC @ 4.5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):20V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 20V 5.1A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:5.1A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest