| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 5060pF @ 50V |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | DDPAK/TO-263-3 |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 5.6 mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs (สูงสุด): | 6V, 10V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ชุด: | NexFET™ |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 200A (Ta) |
| โพลาไรซ์: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ชื่ออื่น: | 296-44970-2 CSD19532KTT-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 2 (1 Year) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 13 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | CSD19532KTT |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 57nC @ 10V |
| ประเภท IGBT: | ±20V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 3.2V @ 250µA |
| คุณสมบัติ FET: | N-Channel |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 100V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | - |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 100V |
| อัตราส่วนการประจุกระแสไฟ: | 250W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
