CSD19531Q5A
รุ่นผลิตภัณฑ์:
CSD19531Q5A
ผู้ผลิต:
TI
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
จำนวน:
55023 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
CSD19531Q5A.pdf

บทนำ

CSD19531Q5A ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ CSD19531Q5A เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ CSD19531Q5A ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3.3V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:8-VSONP (5x6)
ชุด:NexFET™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:6.4 mOhm @ 16A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):3.3W (Ta), 125W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-PowerTDFN
ชื่ออื่น:296-41232-2
CSD19531Q5A-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:35 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:3870pF @ 50V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:48nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):6V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):100V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 100V 100A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:100A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest