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AOS Comunica transistori MOS di carburo di silicio 1200 V (Mosfets αsici)
Pochi giorni fa, Alpha e Omega Semiconductor Limited (AOS, NASDAQ Codice: AOSL), un famoso fornitore di potenza Semiconduttori, chips e prodotti digitali Power Prodotti Integrazione della progettazione, R & S, produzione e vendita globale, ha lanciato un ottimizzato a-247- Pacchetto 4L, un nuovo tubo di carburo di carburo di silicio 1200V (αsic Mosfet) in linea con AEC-Q101 standard-AOM033V120x2Q. Questo tubino da 1200 V Silicon Carbide MOS è un pacchetto auto-calibro a 247-4L che può accettare driver di gate standard da 15V e fornisce la principale resistenza alla resistenza più bassa del settore, soddisfare i requisiti dei caricabatterie per veicoli elettrici (EV) e degli inverter del motore Requisiti ad alta efficienza e affidabilità per caricabatterie e pile di ricarica a bordo.
Con lo sviluppo dell'accelerazione del mercato dei veicoli elettrici di milioni di unità ogni anno, le case automobilistiche implementano sempre più sistemi elettrici da 800 V per ridurre le dimensioni e il peso del sistema, estendendo anche la gamma EV Cruising. Migliora significativamente la sua velocità di ricarica. AOS 1200V Automotive-Grade MOSFET ASSIC è appositamente progettato per questi esigenti requisiti applicativi. Rispetto ai dispositivi di silicio tradizionali, ha eccellenti prestazioni di commutazione ed efficienza.
AOM033V120x2Q è un tubo MOS di 1200 V / 33 MΩ SIC, in base alla nostra piattaforma MOSFET αSIC di seconda generazione, utilizzando il pacchetto ottimizzato a-247-4L. A differenza del pacchetto standard a 3 pin, l'uso di pin di rilevamento della sorgente di Kelvin aggiuntivo può ridurre l'induttanza parassita sul ciclo interno del pacchetto, consentendo al dispositivo di lavorare a una frequenza di commutazione più elevata. Rispetto al pacchetto standard, la perdita di commutazione può essere ridotta fino al 75%. La sua tensione di cancellazione è solo 15v, che consente al driver del gate di avere la più ampia compatibilità, rendendolo facile da usare in vari progetti di sistema. Inoltre, il MOSFET αSIC ha un aumento molto piccolo della resistenza a resistenza ad alta temperatura di 175 ° C, che riduce notevolmente la perdita di potenza e migliora ulteriormente l'efficienza.
"Per continuare a promuovere la tecnologia dei veicoli elettrici per sostituire i veicoli di trasporto basati su motore a combustione interni tradizionali, le case automobilistiche stanno lavorando duramente per espandere la gamma di crociera e accorciare il tempo di ricarica. Con il rilascio di Mosfets αSIC 1200V che soddisfano gli standard di verifica normativa del veicolo L'AOS può fornire ai progettisti fornire più avanzate tecnologie a semiconduttori di prossima generazione per migliorare l'efficienza e raggiungere gli obiettivi di efficienza energetica. " David Sheridan, Senior Director of Wide Bandgap Prodotti presso AOS, ha dichiarato: "A causa della combinazione di prestazioni del prodotto, affidabilità e una catena di approvvigionamento con funzionalità di produzione di massa, i nostri clienti hanno scelto la nostra tecnologia".
Il portafoglio dei prodotti MOSFET αsic verrà ampliato nella seconda metà di quest'anno per includere una gamma più ampia di resistenze statiche e più opzioni di imballaggio, nonché più prodotti che hanno superato gli standard di certificazione ACCOMOTIVE AEC-Q101. Per favore aspetta e vedi.
Con lo sviluppo dell'accelerazione del mercato dei veicoli elettrici di milioni di unità ogni anno, le case automobilistiche implementano sempre più sistemi elettrici da 800 V per ridurre le dimensioni e il peso del sistema, estendendo anche la gamma EV Cruising. Migliora significativamente la sua velocità di ricarica. AOS 1200V Automotive-Grade MOSFET ASSIC è appositamente progettato per questi esigenti requisiti applicativi. Rispetto ai dispositivi di silicio tradizionali, ha eccellenti prestazioni di commutazione ed efficienza.
AOM033V120x2Q è un tubo MOS di 1200 V / 33 MΩ SIC, in base alla nostra piattaforma MOSFET αSIC di seconda generazione, utilizzando il pacchetto ottimizzato a-247-4L. A differenza del pacchetto standard a 3 pin, l'uso di pin di rilevamento della sorgente di Kelvin aggiuntivo può ridurre l'induttanza parassita sul ciclo interno del pacchetto, consentendo al dispositivo di lavorare a una frequenza di commutazione più elevata. Rispetto al pacchetto standard, la perdita di commutazione può essere ridotta fino al 75%. La sua tensione di cancellazione è solo 15v, che consente al driver del gate di avere la più ampia compatibilità, rendendolo facile da usare in vari progetti di sistema. Inoltre, il MOSFET αSIC ha un aumento molto piccolo della resistenza a resistenza ad alta temperatura di 175 ° C, che riduce notevolmente la perdita di potenza e migliora ulteriormente l'efficienza.
"Per continuare a promuovere la tecnologia dei veicoli elettrici per sostituire i veicoli di trasporto basati su motore a combustione interni tradizionali, le case automobilistiche stanno lavorando duramente per espandere la gamma di crociera e accorciare il tempo di ricarica. Con il rilascio di Mosfets αSIC 1200V che soddisfano gli standard di verifica normativa del veicolo L'AOS può fornire ai progettisti fornire più avanzate tecnologie a semiconduttori di prossima generazione per migliorare l'efficienza e raggiungere gli obiettivi di efficienza energetica. " David Sheridan, Senior Director of Wide Bandgap Prodotti presso AOS, ha dichiarato: "A causa della combinazione di prestazioni del prodotto, affidabilità e una catena di approvvigionamento con funzionalità di produzione di massa, i nostri clienti hanno scelto la nostra tecnologia".
Il portafoglio dei prodotti MOSFET αsic verrà ampliato nella seconda metà di quest'anno per includere una gamma più ampia di resistenze statiche e più opzioni di imballaggio, nonché più prodotti che hanno superato gli standard di certificazione ACCOMOTIVE AEC-Q101. Per favore aspetta e vedi.