SPW35N60C3FKSA1
SPW35N60C3FKSA1
Số Phần:
SPW35N60C3FKSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 650V 34.6A TO-247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng:
45124 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Bảng dữliệu:
SPW35N60C3FKSA1.pdf

Giới thiệu

SPW35N60C3FKSA1 giá tốt nhất và giao hàng nhanh.
BOSER Technology là nhà phân phối cho SPW35N60C3FKSA1, chúng tôi có các cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SPW35N60C3FKSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New and Original
Gốc Contact us
Nhà phân phối Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3.9V @ 1.9mA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO247-3
Loạt:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:100 mOhm @ 21.9A, 10V
Điện cực phân tán (Max):313W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3
Vài cái tên khác:SP000014970
SPW35N60C3
SPW35N60C3-ND
SPW35N60C3IN
SPW35N60C3IN-ND
SPW35N60C3X
SPW35N60C3XK
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:4500pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:200nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):650V
miêu tả cụ thể:N-Channel 650V 34.6A (Tc) 313W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:34.6A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận