SPW35N60C3FKSA1
SPW35N60C3FKSA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SPW35N60C3FKSA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 650V 34.6A TO-247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
45124 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
SPW35N60C3FKSA1.pdf

บทนำ

SPW35N60C3FKSA1 ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ SPW35N60C3FKSA1 เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ SPW35N60C3FKSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3.9V @ 1.9mA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO247-3
ชุด:CoolMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 21.9A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):313W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
ชื่ออื่น:SP000014970
SPW35N60C3
SPW35N60C3-ND
SPW35N60C3IN
SPW35N60C3IN-ND
SPW35N60C3X
SPW35N60C3XK
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:4500pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:200nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):650V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 650V 34.6A (Tc) 313W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:34.6A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest