名為MB85RQ4ML的四個雙向I / O引腳工作在108MHz，可以達到54Mbyte / s的數據傳輸速率。該公司表示：“在這方面，MB85RQ4ML的速度是我們現有的並行4Mbit FRAM器件的四倍以上，甚至優於45ns並行SRAM。”

與SOP-16封裝相比，它比TSOP-44或TSOP-48相同密度的富士通並行設備小至少50％。

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續航時間為10萬億次讀/寫週期，並且無需供電即可保存數據-與電池供電的SRAM不同。

該公司聲稱：“儘管嵌入式系統的常規存儲器架構由RAM和非易失性存儲器組成，但MB85RQ4ML在許多應用中可以替代兩者，並在一個芯片中提供統一的存儲器技術。”

它的工作電壓為1.7-1.95V，並具有單個SPI接口和四路SPI接口。

工程樣品現已上市。

“憑藉這種超高速Quad SPI產品，我們在增強FRAM技術方面又達到了另一個里程碑，”富士通電子歐洲銷售，市場營銷，質量保證和技術支持高級總監UwePüsche說道。

富士通將在紐倫堡Embedded World的2號館110展位展出。

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