Наречен, MB85RQ4ML, с четирите си двупосочни I / O пина, работещи на 108MHz, той може да достигне скорост на предаване на данни от 54Mbyte / s. „В това отношение MB85RQ4ML е над четири пъти по-бърз от съществуващото ни паралелно 4Mbit FRAM устройство и дори превъзхожда 45ns успоредния SRAM“, заявиха от фирмата.

В пакет SOP-16 той е поне 50% по-малък от паралелните устройства на Fujitsu със същата плътност, които се предлагат в TSOP-44 или TSOP-48.

Вграден свят 2016: Вземете пълния електронен справочник за електроника »

Издръжливостта е 10 трилиона цикъла за четене / запис и данните се съхраняват без захранване - за разлика от поддържаната от батерията SRAM.

„Докато конвенционалната архитектура на паметта на вградените системи се състои от оперативна памет и енергонезависима памет, MB85RQ4ML може в много приложения да замени и двете и да предложи обединена технология за памет в един чип“, твърдят от фирмата.

Работи над 1.7-1.95V и има единен SPI интерфейс, както и четириядрен.

Вече са налични инженерни проби.

„С този свръх високоскоростен Quad SPI продукт постигнахме друг важен момент в подобряването на нашата технология FRAM“, коментира Fujitsu Electronics Europe старши директор за продажби, маркетинг, QA и техническа поддръжка Uwe Püsche.

Фуджицу излагат в зала 2, щанд 110 в вградения свят в Нюрнберг.

Вижте също: Избор на Fujitsu 1Mbit FRAM в WL-CSP пакет

Вижте също: FRAM, насочен към енкодери за събиране на енергия

Вижте също: Вградената FRAM отваря MCU дизайн