| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.6V @ 300µA |
| Vgs (Maks.): | ±18V |
| teknoloji: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PQFN (8x8) |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 130 mOhm @ 13A, 8V |
| Güç Tüketimi (Max): | 96W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | 3-PowerDFN |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 760pF @ 400V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 14nC @ 8V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 8V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 650V |
| Detaylı Açıklama: | N-Channel 650V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
