| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.4V @ 250µA |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 8-Power33 (3x3) |
| Dizi: | TrenchFET® Gen IV |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 6.75 mOhm @ 15A, 10V |
| Güç - Max: | 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) |
| paketleme: | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kutu: | 8-PowerWDFN |
| Diğer isimler: | SIZ350DT-T1-GE3CT |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 32 Weeks |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 940pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 20.3nC @ 10V |
| FET Tipi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Özelliği: | Standard |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
| Detaylı Açıklama: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 18.5A (Ta), 30A (Tc) 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3) |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 18.5A (Ta), 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
