SI7101DN-T1-GE3
SI7101DN-T1-GE3
Parça Numarası:
SI7101DN-T1-GE3
Üretici firma:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Açıklama:
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
miktar:
40047 Pieces
Teslimat süresi:
1-2 days
Veri Sayfası:
SI7101DN-T1-GE3.pdf

Giriş

SI7101DN-T1-GE3 en iyi fiyat ve hızlı teslimat.
BOSER Technology SI7101DN-T1-GE3 distribütörüdür, biz derhal nakliye için stoklarımız var ve ayrıca uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize SI7101DN-T1-GE3 satın alma planınızı e-posta ile gönderin, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Bizim e-posta: [email protected]

Özellikler

Şart New and Original
Menşei Contact us
Distribütör Boser Technology
Id @ Vgs (th) (Max):2.5V @ 250µA
Vgs (Maks.):±25V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:PowerPAK® 1212-8
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):7.2 mOhm @ 15A, 10V
Güç Tüketimi (Max):3.7W (Ta), 52W (Tc)
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:PowerPAK® 1212-8
Diğer isimler:SI7101DN-T1-GE3TR
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:32 Weeks
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu:Lead free / RoHS Compliant
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:3595pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:102nC @ 10V
FET Tipi:P-Channel
FET Özelliği:-
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):4.5V, 10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):30V
Detaylı Açıklama:P-Channel 30V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):35A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar