| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 1V @ 250µA (Min) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 8-SO |
| Dizi: | TrenchFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 36 mOhm @ 5.9A, 10V |
| Güç - Max: | 1.1W |
| paketleme: | Original-Reel® |
| Paket / Kutu: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Diğer isimler: | SI4539ADY-T1-E3DKR |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| FET Tipi: | N and P-Channel |
| FET Özelliği: | Logic Level Gate |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
| Detaylı Açıklama: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.4A, 3.7A 1.1W Surface Mount 8-SO |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 4.4A, 3.7A |
| Temel Parça Numarası: | SI4539 |
| Email: | [email protected] |
