| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.6V @ 1mA (Typ) |
| Vgs (Maks.): | +25V, -10V |
| teknoloji: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | HiP247™ |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 100 mOhm @ 20A, 20V |
| Güç Tüketimi (Max): | 270W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-247-3 |
| Diğer isimler: | 497-14960 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1700pF @ 400V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 105nC @ 20V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 20V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 1200V |
| Detaylı Açıklama: | N-Channel 1200V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™ |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
