| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 1.2V @ 250µA |
| Vgs (Maks.): | ±12V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | ChipFET™ |
| Dizi: | - |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Güç Tüketimi (Max): | 1.1W (Tj) |
| paketleme: | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kutu: | 8-SMD, Flat Lead |
| Diğer isimler: | NTHD4P02FT1GOSCT |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 6 Weeks |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 300pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
| FET Tipi: | P-Channel |
| FET Özelliği: | Schottky Diode (Isolated) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 2.5V, 4.5V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 20V |
| Detaylı Açıklama: | P-Channel 20V 2.2A (Tj) 1.1W (Tj) Surface Mount ChipFET™ |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 2.2A (Tj) |
| Email: | [email protected] |
