| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4V @ 250µA |
| Vgs (Maks.): | ±20V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | D2PAK |
| Dizi: | HEXFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 9 mOhm @ 60A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 2.4W (Ta), 170W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Diğer isimler: | *IRF1104S SP001563014 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2900pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 93nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 40V |
| Detaylı Açıklama: | N-Channel 40V 100A (Tc) 2.4W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
