| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Gerilim - Tepe Ters (Max): | Silicon Carbide Schottky |
| Gerilim - İleri (Vf) (Max) @ Eğer: | 10A (DC) |
| Gerilim - Arıza: | PG-TO220-2 |
| Dizi: | thinQ!™ |
| RoHS Durumu: | Bulk |
| Ters Toparlanma Süresi (TAR): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| If, F @ direnç: | 300pF @ 1V, 1MHz |
| polarizasyon: | TO-220-2 |
| Diğer isimler: | IDH10G65C5 IDH10G65C5-ND SP000925208 |
| Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı: | 0ns |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | IDH10G65C5XKSA1 |
| Genişletilmiş Açıklama: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
| diyot Yapılandırma: | 340µA @ 650V |
| Açıklama: | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 |
| Güncel - Kaçak @ VR Ters: | 1.7V @ 10A |
| Güncel - Ortalama Rektifiye (Io) (Diyot başına): | 650V |
| Vr, F @ Kapasitans: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
