SQS462EN-T1_GE3
SQS462EN-T1_GE3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SQS462EN-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Electro-Films (EFI) / Vishay
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
42527 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
SQS462EN-T1_GE3.pdf

บทนำ

SQS462EN-T1_GE3 ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ SQS462EN-T1_GE3 เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ SQS462EN-T1_GE3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PowerPAK® 1212-8
ชุด:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:63 mOhm @ 4.3A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):33W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:PowerPAK® 1212-8
ชื่ออื่น:SQS462EN-T1-GE3
SQS462EN-T1-GE3-ND
SQS462EN-T1_GE3-ND
SQS462EN-T1_GE3TR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:470pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:12nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):60V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 60V 8A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:8A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest