SQS405ENW-T1_GE3
SQS405ENW-T1_GE3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SQS405ENW-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Electro-Films (EFI) / Vishay
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212
จำนวน:
61928 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
SQS405ENW-T1_GE3.pdf

บทนำ

SQS405ENW-T1_GE3 ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ SQS405ENW-T1_GE3 เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ SQS405ENW-T1_GE3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±8V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PowerPAK® 1212-8
ชุด:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:20 mOhm @ 13.5A, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):39W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:PowerPAK® 1212-8
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:2650pF @ 6V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:75nC @ 8V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):12V
คำอธิบายโดยละเอียด:P-Channel 12V 16A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:16A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest