| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2V @ 250µA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 1206-8 ChipFET™ |
| ชุด: | TrenchFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 3.1W, 2.6W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SMD, Flat Lead |
| ชื่ออื่น: | SI5511DC-T1-E3TR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 435pF @ 15V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 7.1nC @ 5V |
| ประเภท FET: | N and P-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | Logic Level Gate |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 30V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.6A 3.1W, 2.6W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 4A, 3.6A |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | SI5511 |
| Email: | [email protected] |
